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FDMS86252  与  BSC520N15NS3 G  区别

型号 FDMS86252 BSC520N15NS3 G
唯样编号 A36-FDMS86252 A-BSC520N15NS3 G
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 FDMS86252 Series 150 V 51 mOhm N-Channel Shielded Gate PowerTrench Mosfet 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 52mΩ
RoHS compliant - yes
Moisture Level - 1 Ohms
漏源极电压Vds - 150V
Ciss - 670.0 pF
Rth - 2.2 K/W
Coss - 80.0pF
栅极电压Vgs - 3V,2V,4V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - SuperSO8
连续漏极电流Id - 21A
工作温度 - -55°C~150°C
QG (typ @10V) - 8.7 nC
系列 - OptiMOS™
Ptot max - 57.0W
QG - 8.7nC
Ptot max - 57.0 W
IDpuls max - 84.0 A
Budgetary Price €€/1k - 0.4
库存与单价
库存 1 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS86252 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

暂无价格 1 当前型号
BSC520N15NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC520N15NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC520N15NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC520N15NS3GATMA1_21A SuperSO8 -55°C~150°C N-Channel 150V 52mΩ 3V,2V,4V

暂无价格 0 对比

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